1. 產品
        • 產品
        • 新聞
        SiC devices

        第三代半導體材料功率器件是未來高性能功率器件的重要組成部分之一。开心8官网研發團隊在寬禁帶半導體研究上有豐富的經驗,相繼研發了並聯SiC的IGBT及寬禁帶場效應晶體管。

        目前量產的並聯SiC二極管的新一代高速IGBT,大幅改善了Eon、trr、 Qrr和Qg等特性,適合在追求極限效率的系統中使用,支持80-100kHz的高速開關和圖騰柱無橋PFC應用。

        產品列表

        下載資料
        Package   P/N   VGE (V) BV (V) IC (A) Vth_typ(V) Von(V)
        Tc=25℃ Vcesat Vf

        © COPYRIGHT 2008 - 2022 蘇州开心8官网半導體股份有限公司 版權所有  蘇ICP備18022065號-1